三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。
业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。
与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。
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